工作条件

l 宽电压工作范围：2.0V~5.5V. 

l 工业级工作温度： -40℃ ~ +105℃. 

EMS

l ESD

n HBM：MIL-STD-883J Class 3A

n MM：JEDEC EIA/JESD22-A115 Class C

l EFT

n EN61000-4-4 Level 4

封装类型

l 16 PIN: SOP16

CPU 

l 超高速1T 8051内核， 指令集全兼容8051，执行速度约为其它1T 8051的2倍

l 双数据指针（DPTRs）

存储

l 32 Kbytes Flash ROM

n 分为64个扇区（sector），每个sector 为512 bytes 

n 可反复写入10万次

n 25℃环境下数据可保存100年以上

l IAP (In Application Programming)：可通过Code Option设置项将Flash允许IAP操作的范围设为：0K、1K、2K或32K

l BootLoader：内置1 Kbytes LDROM 

n 可通过Code Option设置项选择从APROM或LDROM启动

l Unique ID： 96 bits Unique ID，存放IC的唯一识别码

l SRAM

n 内部256 bytes 片内直接存取RAM

n 4 Kbytes外部RAM(XRAM)

n 16 bytes片内间接存取RAM通过MOVX指令读写PWM 占空比SFR：1040H~104FH 共16 bytes

时钟源

l 内建高频 32MHz 振荡器（HRC）

n IC的系统时钟频率（f_SYS），可通过编程器选择设定为： 32/16/8/4MHz

n 全电压范围内(2.0V~5.5V)：

u -20 ~ 85℃应用环境，频率误差不超过 ±1% 

u -40 ~ 105℃应用环境，频率误差不超过 ±2%

n 可通过32.768kHz外接晶振进行自动校准，校准后HRC精度可无限接近外接32.768kHz晶振的精度

l 内置低频晶体振荡器电路：可外接32.768kHz振荡器，作为Base Timer 时钟源

l 内建低频 32.768kHz 振荡器 (LRC)：作为Base Timer及WDT的时钟源

低电压复位（LVR）

l 复位电压有4级可选： 4.3、3.7V、2.9V、1.9V，缺省值为用户烧写Code Option所选值 

Flash烧写和仿真

l 2线JTAG烧写、仿真接口，支持带电仿真

中断（INT）

l 共16个中断源：Timer0~4，INT0~2，ADC，PWM，UART，USCI0~2，Base Timer，TK 

l 外部中断有3个中断向量，共13个中断口，全部可设上升沿、下降沿、双沿中断

l 两级中断优先级可设

数字外围

l 最大14个双向可独立控制的 I/O口，可独立设定上拉电阻

l 全部I/O口源驱动能力分四级控制

l 全部I/O具有大灌电流驱动能力（50mA）

l 内置WDT，可选时钟分频比

l 5个定时器Timer0~4

l 5路16位PWM

n 可设为独立模式或互补模式：独立模式下8路PWM共周期，占空比可单独设置；互补模式下可同时输出四组互补、带死区的PWM波形

n 输出波形可反向，可设为中心对齐型或边沿对齐型

l 1个独立UART通信口UART0

l 2个UART/SPI/TWI三选一USCI通信口

n USCI0具有7816模式

n USCI0的SPI接口主模式下具有16位8级的读/写FIFO缓存

l 集成16 ×16位硬件乘除法器

l 内建CRC校验模块

模拟外围

l 13路双模触控电路

n 高灵敏度模式可适应隔空按键触控、接近感应等对灵敏度要求较高的触控应用

n 高可靠模式具有很强的抗干扰性，可通过10V动态CS测试

n 支持低功耗模式

n 全套开发支持：高灵活触控软件库，智能化调试软件

l 6路12位高速 ADC

n 1MHz超高速采样时钟，采样到完成转换的总时间低至2μs

n 3种参考电压可选：内部的2.048V、内部的1.024V和VDD

n 内部一路ADC可直接测量1/4VDD电压

省电模式

l IDLE Mode，可由任何中断唤醒

l STOP Mode，可由 INT0~2、Base Timer和TK唤醒