工作条件

l 宽电压工作范围：2.0V~5.5V.

l 工业级工作温度： -40℃ ~ +105℃.

抗干扰能力

l ESD 6KV

l EFT 4KV

封装类型

l 20 PIN: TSSOP20

CPU

l 超高速1T 8051内核， 指令集全兼容8051，执行速度约为其它1T 8051的2倍

l 双数据指针（DPTRs）

存储

l 64 Kbytes Flash ROM

n 可反复写入10万次

n 内部256 bytes 片内直接存取RAM

n IC的系统时钟频率（f_SYS），可通过编程器选择设定为： 32/16/8/4MHz

n 最大46个双向可独立控制的 I/O口，可独立设定上拉电阻

n PWM0：32路（P0~P3）共用周期、单独可调占空比的12位PWM

n 输出波形可反向，可设为中心对齐型或边沿对齐型

n 1MHz超高速采样时钟，采样到完成转换的总时间低至2μs

n 内部一路ADC可直接测量V_DD电压

l 1个模拟比较器

n 比较电压16级可选（V_DD分压）

电源管理

l Normal Mode：程序和HRC正常运行，电流功耗低至5.2mA (V_DD=5V, f_SYS=32MHz)

l IDLE Mode：程序停止运行，电流功耗低至2.5mA (V_DD=5V)，可由任何中断唤醒

HRC停振，电流功耗低至 INT0~2和<span style="font-family:" font-size:14px;"="">Base Timer