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SC92F7411

工作电压:2.4V~5.5V

工作温度:-40 ~ 85℃

 

EMS

l  ESD

n  HBM:MIL-STD-883J Class 3B

n  MM:JEDEC EIA/JESD22-A115 Class C

n  CDM:ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018 Class C3

l  EFT

n  EN61000-4-4 Level 4

 

封装:

SOP16

 

内核:1T 8051

 

Flash ROM

l  16 Kbytes Flash ROM(MOVC禁止寻址0000H~00FFH)可重复写入1万次

 

IAP

l  可code option成0K、0.5K、1K或16K

l  用户在对Flash ROM进行IAP操作的应用时,需将LVR设定为3.7V或更高,并保证VDD电压范围在3.7V~5.5V之间

l  用户在对EEPROM进行IAP操作的应用时,需保证VDD电压范围在2.4V~5.5V之间

 

注意:用户在对芯片进行烧录时,烧录电压档位只能选择5V档位!

 

EEPROM128 bytes,无需擦除,10万次写入,10年以上保存寿命

 

SRAM内部256 bytes+外部768 bytes

 

系统时钟(fSYS):

l  内建高频24MHz 振荡器(fHRC

n  作为系统时钟源时,fSYS可通过编程器选择设定为/1 /2 /4 /12 这四种分频中的一种

n  频率误差:跨越 (2.4V~5.5V) 及 (-40 ~ 85℃) 应用环境,不超过 ±1%

l  内置高频晶体振荡器电路

n  可外接2~16MHz振荡器

n  作为系统时钟源时,fSYS可通过编程器选择使用外接晶振 /1 /2 /4 /12 这四种分频中的一种

l  IC系统时钟(fSYS)对应的工作电压范围

n  >12MHz @3.7V~5.5V

n  ≤12MHz @2.4V~5.5V

 

内建低频32kHz LRC 振荡器:

l  可作为Base Timer的时钟源,可唤醒STOP

l  可作为WDT的时钟源

 

低电压复位(LVR):

l   复位电压有4级可选:分别是:4.3V、3.7V、2.9V、2.3V

l   缺省值为用户烧写Code Option所选值

 

Flash烧写和仿真:

l  2线JTAG烧写和仿真接口

 

中断(INT):

l  Timer0,Timer1,Timer2,INT0~2,ADC,PWM,UART,SSI,Base Timer 共11 个中断源

l  外部中断有3个中断向量,共13个中断口,全部可设上升沿、下降沿、双沿中断

l  两级中断优先级可设

 

数字外围:

l   最大14个双向可独立控制的 I/O口,可独立设定上拉电阻

l   P0、P2口源驱动能力分四级控制

l   全部IO具有大灌电流驱动能力(70mA)

l   11位WDT,可选时钟分频比

l   3个标准 80C51 定时器Timer0、Timer1和Timer2

l   Timer2可实现Capture功能

l   4路共用周期、单独可调占空比的 10位PWM ,可同时输出俩组互补带死区的PWM波形

l   2个IO可作为1/2 BIAS的LCD COM输出

l   1个独立UART通信口(可切换IO口)

l   1个UART/SPI/TWI三选一通讯口SSI(可切换IO口)

l   集成16 ×16位硬件乘除法器

 

模拟外围:

l  6路12位ADC

n  内建基准的 2.4V 参考电压

n  ADC的参考电压有2种选择,分别是 VDD以及内部2.4V

n  内部一路ADC可直接测量VDD电压

n  可设ADC转换完成中断

 

省电模式:

l  IDLE Mode,可由任何中断唤醒

l  STOP Mode,由 INT0~2、BaseTimer唤醒

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